Будь умным!


У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.ru

ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ Следует применять схемы просвечивания рассмотренные ниже

Работа добавлена на сайт samzan.ru: 2016-03-13


4.7. СХЕМЫ ПРОСВЕЧИВАНИЯ

4.7.1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

Следует применять схемы просвечивания, рассмотренные ниже.

Способ эллипса (просвечивание через две стенки/двойное изображение) см. пп. 4.7.6 не должен применяться для наружного диаметра De > 100 мм, толщины стенки t > 8 мм и ширины сварного шва более De/4. Двух смещенных на 90° изображений достаточно для t/De < 0,12. Расстояние  между  двумя   изображениями сварного шва должно быть равно примерно ширине сварного шва.

Если нецелесообразно при De  100 мм применять способ эллипса, то можно пользоваться способом перпендикулярной съемки см. пп. 4.7.7. В этом случае потребуются три снимка, смещенных на 120° или 60°.

При схемах контроля по пп. 4.7.6, 4.7.8 угол наклона излучения должен быть по возможности малым и направление излучения должно быть таким, чтобы не было наложения двух изображений сварного шва. Расстояние источник излучения - контролируемый объект, f должно быть по возможности малым. ИКИ должен располагаться вблизи пленки вместе со свинцовой буквой "F".

По согласованию между договорными сторонами можно использовать другие способы радиографии, например, из-за особой геометрии детали или разности в толщине материала. Нельзя применять способ нескольких снимков для того, чтобы уменьшить длительность экспозиции при одинаковой форме контролируемых участков.

4.7.2. ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ ПЕРЕД КОНТРОЛИРУЕМЫМ

ОБЪЕКТОМ, А ПЛЕНКА НА ПРОТИВОПОЛОЖНОЙ СТОРОНЕ

ВНУТРИ

4.7.3. ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ СНАРУЖИ,

А ПЛЕНКА ВНУТРИ КОНТРОЛИРУЕМОГО ОБЪЕКТА

4.7.4. ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ ВНУТРИ И ПО ЦЕНТРУ, А ПЛЕНКА ВНЕ КОНТРОЛИРУЕМОГО ОБЪЕКТА

4.7.5. ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ ВНУТРИ И ПО ЦЕНТРУ,

А ПЛЕНКА СНАРУЖИ КОНТРОЛИРУЕМОГО ОБЪЕКТА

4.7.6. СПОСОБ ЭЛЛИПСА

4.7.7.  СПОСОБ ПЕРПЕНДИКУЛЯРНОЙ СЪЕМКИ

4.7.8. ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ ВНЕ КОНТРОЛИРУЕМОГО ОБЪЕКТА, А ПЛЕНКА - НА ДРУГОЙ СТОРОНЕ

4.7.9. СПОСОБ ДЛЯ МАТЕРИАЛОВ РАЗЛИЧНОЙ ТОЛЩИНЫ

 

 4.7.10. КОНТРОЛЬ КОЛЬЦЕВОГО СТЫКОВОГО СВАРНОГО ШВА

Минимальное количество снимков по рис. 4.55 ... 4.58 относится к трубам с наружным диаметром более 100 мм.

Если отклонение толщины стенки  сварного шва, который должен быть проконтролирован одним снимком, не превышает 20 %, то применяются рис. 4.57 и 4.58. Данный способ рекомендуется только, если вероятность наличия поперечной трещины мала или сварной шов проверяется на наличие таких дефектов другими способами неразрушающего контроля.

Если  меньше или равно 10 %, то применяются рис. 4.55 и 4.56. В этом случае имеется вероятность выявления и поперечных трещин.

Если контролируемый объект проверяется на наличие отдельных поперечных трещин, то требуемое минимальное количество радио

грамм, по сравнению со значениями, указанными на рис. 4.55 ... 4.58, увеличивается.

Если соединение имеет несколько угловых швов с разной степенью проплавления, то его просвечивают с использованием нескольких пленок (рис. 4.59).

Схема просвечивания при радиографировании сварной закрытой сферы показана на рис. 4.60. Принцип радиографирования аналогичен контролю сварных труб через две стенки, при этом равноотстоящие маркировочные знаки должны размещаться таким образом, чтобы их изображения фиксировались на снимке.

Схема контроля закрытого резервуара представлена на рис. 4.61. Размещение источника излучения около одного конца резервуара показывает, что такая схема позволяет просветить сварной шов другого конца за одну экспозицию.

Все сварные швы на полусфере можно просветить за одну экспозицию с использованием радионуклидного источника излучения. Источник размещают в геометрическом центре полусферы, а пленки - над всеми швами (рис. 4.62).

Рис. 4.63, 4.64 иллюстрируют два примера панорамного просвечивания. На рис. 4.63 показана схема просвечивания труб достаточно

большого диаметра, такого, чтобы в нее можно было ввести рентгеновский аппарат с панорамным выходом излучения или радио-нуклидный источник. Современные кроулеры - автоматически передвигающиеся в трубах устройства с источниками излучения - имеют диаметр около 120 мм, так что с их помощью можно панорамно просвечивать трубы с внутренним диаметром 130 мм и более. Схема просвечивания, приведенная на рис. 4.64, применяется в тех случаях, когда нужно просветить достаточно большое количество одинаковых мелких ОК.

Рис. 4.65 иллюстрирует схемы просвечивания при контроле качества паяных и клееных сотовых конструкций. Такие схемы используются при радиографировании сотовых конструкций толщиной менее 25 мм. В этом случае изображение любого углового шва верхней поверхности любой ячейки на снимке не должно накладываться на изображение любых других угловых швов. Это требование можно удовлетворить при выполнении условий:

и   - для левой схемы рис. 4.52, а и  - для схемы рис. 4.52, б, в равна, например, 1,5 мм.

Радиотехнические элементы: транзисторы, диоды (рис. 4.67) и другие, можно просвечивать по схеме рис. 4.68, 4.69 используя рентгеновские трубки с окном из бериллия. В этих случаях применяют мелкозернистую пленку с односторонним покрытием, а при расшифровке снимков используют лупы с 20-ти кратным увеличением.


Рис. 4.36. Схема п
олучения снимка для плоского сварного шва и при просвечивании через одну стенку

Рис. 4.38. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку (сварной шов вставной детали)

Рис. 4.37. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку

Рис. 4.39. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивания через одну стенку (сварной шов наложенной детали)

Рис. 4.40. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку

Рис. 4.41. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку (сварной шов вставной детали)

Рис. 4.42. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку (сварной шов наложенной детали)

Рис. 4.44. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку (сварной шов вставной детали)

Рис. 4.43. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку

Рис. 4.45. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта при просвечивании через одну стенку (сварной шов наложенной детали)

Рис. 4.46. Схема получения снимка изогнутого контролируемого объекта для контроля двух стенок при просвечивании через две стенки (двойное изображение) (источник излучения и пленка - вне контролируемого объекта)

Рис. 4.47. Схема получения снимка изогнутых контролируемых объектов при просвечивании через две стенки (двойное изображение) для контроля двух стенок (источник излучения и пленка вне контролируемого объекта)

Рис. 4.50. Схема получения снимка прямолинейного сварного шва при просвечивании через две стенки (одно изображение)

Рис. 4.49. Схема получения снимка при просвечивании через две стенки (одно изображение)

Рис. 4.48. Схема получения снимка изогнутых контролируемых объектов при просвечивании через две стенки (одно изображение) для контроля стенки, ближайшей к пленке. ИКИ должен располагаться вблизи пленки

Рис. 4.51. Схема получения снимка изогнутых контролируемых объектов при просвечивании через две стенки (одно изображение) для контроля стенки, ближайшей к пленке

Рис. 4.52. Схема получения снимка при просвечивании угловых швов

Рис. 4.53. Схема получения снимка при просвечивании угловых швов

Рис. 4.54. Способ нескольких пленок

Рис. 4.55. Минимальное количество снимков N при просвечивании через одну стенку снаружи внутрь и с максимально допустимым увеличением просвечиваемой толщины на основе косого направления излучения в проверяемой области  = 10 % в зависимости от отношения для трубы  и от отношения наружного диаметра трубы De к расстоянию f

Рис. 4.56. Минимальное количество снимков N при эксцентрическом просвечивании изнутри наружу, а также просвечивании через две стенки и с максимально допустимым увеличением просвечиваемой толщины на основе косого направления излучения в проверяемой области  = 10 % в зависимости от отношения для трубы  и от отношения наружного диаметра трубы De к расстоянию пленки - фокус FFA: 1 - стенка трубы

Рис 4.57. Минимальное количество снимков N при просвечивании через одну стенку снаружи внутрь и с максимально допустимым увеличением просвечиваемой толщины на основе косого направления излучения в проверяемой области  = 20 % в зависимости от отношения для трубы  и от отношения наружного диаметра трубы De к расстоянию f

Рис. 4.58. Минимальное количество снимков N при эксцентрическом просвечивании изнутри и снаружи, а также просвечивание через две стенки и с максимально допустимым увеличением просвечиваемой толщины на основе косого направления излучения в проверяемой области  = 20 % в зависимости от отношения для трубы  и от отношения наружного диаметра трубы De к расстоянию пленка - фокус FFA: 1 - стенка трубы

Рис. 4.59. Схемы просвечивания таврового соединения с использованием нескольких пленок: 1 - источник излучения; 2 - ОК; 3 - кассета с пленками

Рис. 4.60. Схема просвечивания сварной закрытой сферы: I - источник излучения; II - ОК; III - маркировочные цифры: IV- кассета с пленкой; F, VI – соответственно изображения маркировочной платы и сварного шва

Рис. 4.62. Схема просвечивания сварных швов на полусфере: 1 - источник излучения; 2 - сварные швы; 3 – пленки

Рис. 4.61. Схема просвечивания сварного закрытого резервуара: 1- источник излучения; 2 - ОК; 3 - пленка

Рис. 4.64. Схема просвечивания одинаковых мелких ОК: 1 - источник излучения; 2 – ОК; 3 - пленки

Рис. 4.63. Схема просвечивания труб большого диаметра: 1 - источник излучения; 2 - ОК; 3 - пленки

Рис. 4.66. Схема просвечивания сотовой панели толщиной более 25 мм: 1 - фокусное пятно источника излучения; 2 - клиновидный фильтр; 3 - ОК; 4 – пленка

Рис. 4.65. Схемы просвечивания при контроле качества паяных и клееных сотовых конструкций толщиной менее 25 мм: а - плоская конструкция; б - клиновидная; в - изогнутая

Рис. 4.68. Схемы просвечивания транзисторов: 1, 2, 3- соответственно выводы базы, коллектора и эмиттера

Рис. 4.67. Схематические изображения транзистора (а) и диода (б) с некоторыми видами дефектов: 1, 2, 3- соответственно выводы базы коллектора и эмиттера; 4 - выплески припоя, кусочек проволоки; 5 - излишки припоя; 6 - нестандартный зазор; 7 - разомкнутые соединительные провода; 8 - включения или пустоты в герметике; 9 - анод; 10 - катод

Рис. 4.69. Схемы просвечивания диодов, резисторов и конденсаторов


Диплом на заказ


1. Микрогосударства Европы
2. Техносферная безопасность МАДИ протокол от
3. Лабораторная работа 1 Задание- При помощи табличного процессора Microsoft Excel определить целесообразность п
4. Лекция- КОРРЕКЦИОННАЯ ПЕДАГОГИКА В СИСТЕМЕ НАУК О ЧЕЛОВЕКЕ Объект предмет и зад
5. методические рекомендации для преподавателей Тема 5
6. символического захвата тех пространств которые обычно считаются
7. предварительное расследование
8. Windows 2000
9. Эргономические основы безопасности жизнедеятельности.html
10. Вятский государственный гуманитарный университет ВятГГУ УТВЕРЖДАЮ Ректор В
11. Статья 47. Обязанность собственника или уполномоченного им органа провести расчет с работником и выдать ему т
12. Вычислительные машины системы и сети направляемых на преддипломную практику в период с 03
13. Стаття 1. Законодавство України про загальну середню освіту Законодавство України про загальну середн
14. Рабочая тетрадь Портрет План карьеры сдать в Гипер методе
15. ТЕМА 5 БАНКИ И БАНКОВСКАЯ СИСТЕМА Структура банковской системы
16. Не оцінена сучасниками піввіку потому його теорія стала предметом гарячих дискусій що не припинилися й у н
17. вариант как это можно осуществить ЗДРАВСТВУЙТЕ Я хочу предложить Вам возможность заработать деньги не
18. Педагогические взгляды А.С.Пушкина
19. Развитие розничной торговли в РФ и Татарстане
20. сосудистой системы ребенка может возникнуть по разным причинам