Будь умным!


У вас вопросы?
У нас ответы:) SamZan.ru

би два Режимы работы биполярного транзистора Нормальный активный режим Переход эмиттербаза вк

Работа добавлена на сайт samzan.ru: 2015-07-05


Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от полевого транзистора, используются заряды одновременно двух типов, носителями которых являются электроны и дырки (от слова «би» — «два»). 

Режимы работы биполярного транзистора

Нормальный активный режим

Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт)
U
ЭБ>0;UКБ<0 (для транзистора p-n-p типа, для транзистора n-p-n типа условие будет иметь вид UЭБ<0;UКБ>0);

Инверсный активный режим

Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.

Режим насыщения

Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнется проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (IЭ.нас) и коллектора (IК.нас).

Режим отсечки

В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты). Режим отсечки транзистора получается тогда, когда эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключены к внешним источникам в обратном направлении. В этом случае через оба р-n-перехода протекают очень малые обратные токи эмиттера (IЭБО) И коллектора (IКБО). Ток базы равен сумме этих токов и в зависимости от типа транзистора находится в пределах от единиц микроампер — мкА (у кремниевых транзисторов) до единиц миллиампер — мА (у германиевых транзисторов).

Барьерный режим

В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя своеобразный диод, включенный последовательно с токозадающим резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.

Основные параметры

  1.  Коэффициент передачи по току
  2.  Входное сопротивление
  3.  Выходная проводимость
  4.  Обратный ток коллектор-эмиттер
  5.  Время включения
  6.  Предельная частота коэффициента передачи тока базы
  7.  Обратный ток коллектора
  8.  Максимально допустимый ток
  9.  Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером




1. 1 Особенности результата полученного при окрашивании красителями 4 гр.html
2. На тему Хромосомные болезни Выполнил студент группы 02 Е
3. Методы оценки мер по повышению эффективности функционирования грузоперевозок
4. Шпаргалка по философии
5. Садсадиксадовниксадовод Что общего у этих слов Какие у них корни Давайте вспомним два условия п
6. на тему- ldquo;Відмінність скелету тварини від людиниrdquo; Після виходу в світ праць Ч
7. Тема 4. Поражающие факторы чрезвычайных ситуаций и их квалификация
8. местные методы действие лекарственных средств на зубную эмаль; общие методы действие лекарственных с
9. за всех тех наслоений которые наложила жизнь.
10. djustments Curves Изображение Коррекция ~ Кривые
11. 1С- Предприятие Общая характеристика типовой версии
12. РЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата юридичних наук Ірпін
13. тема централизованного управления производством ЦУП ТО и ТР которая заложена в основу управления в РДАУП
14. Лабораторная работа 1 на тему Анализ ландшафтной карты Дагестана масштаба Работу выпол
15. Латунь Легированные стали
16. ру Мобильный Программы Все сервисы Начало формы все языки Найти
17. Средняя общеобразовательная школа 12 имени Олега Кошевого Республики Коми г
18. Пермский государственный технический университет Р
19. История ветеринарии Курского края
20. Общие требования безопасности 1